irf540中文资料 rf540场效应管参数

小圈 2024-03-13 248次阅读

本文目录

  1. lrf540场效应管参数
  2. irf540n引脚图参数
  3. lrf540n参数与代换
  4. rf540场效应管参数
  5. IRF540的具体使用说明
  6. f540ns参数

lrf540场效应管参数

irf540n参数列表如下:

晶体管极性:N沟道

漏极电流,Id最大值:33A

电压,Vds最大:100V

开态电阻,Rds(on):0.04ohm

电压@Rds丈量:10V

电压,Vgs最高:10V

功耗:94W

封装类型:TO-220AB

针脚数:3

功率,Pd:120W

器材符号:IRF540N

引脚节距:2.54mm

晶体管数:1

irf540n引脚图参数

你好,IRF540N引脚图参数如下:

1、针脚数:3;

2、功率Pd:120W;

3、引脚节距:2.54mm;

4、满功率温度:25°C;

5、功耗:94W。

IRF540N的生产厂家是SANYO、IR、VISHAY等,封装类型为TO-220AB。

lrf540n参数与代换

IRF540N参数:

1、针脚数:3;

2、功率Pd:120W;

3、引脚节距:2.54mm;

4、满功率温度:25°C;

5、功耗:94W。

IRF540N的生产厂家是SANYO、IR、VISHAY等,封装类型为TO-220AB。

IRF540N可用用场效应管IRF640代换

rf540场效应管参数

参数如下:

晶体管极性:N沟道

漏极电流,Id最大值:33A

电压,Vds最大:100V

开态电阻,Rds(on):0.04ohm

电压@Rds丈量:10V

电压,Vgs最高:10V

功耗:94W

封装类型:TO-220AB

针脚数:3

功率,Pd:120W

器材符号:IRF540N

引脚节距:2.54mm

晶体管数:1

晶体管类型:MOSFET

温度@电流丈量:25°C

满功率温度:25°C

热阻,结至外壳A:1.1°C/W

电压Vgs@Rdson丈量:10V

电压,Vds典型值:100V

电流,Id接连:27A

电流,Idm脉冲:110A

阈值电压,Vgsth典型值:4V

IRF540的具体使用说明

这就是一个大电流(30A)、较高耐压(100V)、低导通电阻(0.077Ω)的N沟道场效应管。

用法和其他N沟道场效应管差不多。

f540ns参数

f540ns采用的是三星880处理器,这款处理器采用的是三星八纳米制程工艺,支持5G双模全网通功能。

这款手机采用的是一块6.4英寸的OLED三星屏,支持屏幕指纹解锁,还支持屏幕高刷。另外它内置了4000毫安电池,支持25w的快速充电。支持30w的无线充电。



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