irf540中文资料 rf540场效应管参数
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lrf540场效应管参数
irf540n参数列表如下:
晶体管极性:N沟道
漏极电流,Id最大值:33A
电压,Vds最大:100V
开态电阻,Rds(on):0.04ohm
电压@Rds丈量:10V
电压,Vgs最高:10V
功耗:94W
封装类型:TO-220AB
针脚数:3
功率,Pd:120W
器材符号:IRF540N
引脚节距:2.54mm
晶体管数:1
irf540n引脚图参数
你好,IRF540N引脚图参数如下:
1、针脚数:3;
2、功率Pd:120W;
3、引脚节距:2.54mm;
4、满功率温度:25°C;
5、功耗:94W。
IRF540N的生产厂家是SANYO、IR、VISHAY等,封装类型为TO-220AB。
lrf540n参数与代换
IRF540N参数:
1、针脚数:3;
2、功率Pd:120W;
3、引脚节距:2.54mm;
4、满功率温度:25°C;
5、功耗:94W。
IRF540N的生产厂家是SANYO、IR、VISHAY等,封装类型为TO-220AB。
IRF540N可用用场效应管IRF640代换
rf540场效应管参数
参数如下:
晶体管极性:N沟道
漏极电流,Id最大值:33A
电压,Vds最大:100V
开态电阻,Rds(on):0.04ohm
电压@Rds丈量:10V
电压,Vgs最高:10V
功耗:94W
封装类型:TO-220AB
针脚数:3
功率,Pd:120W
器材符号:IRF540N
引脚节距:2.54mm
晶体管数:1
晶体管类型:MOSFET
温度@电流丈量:25°C
满功率温度:25°C
热阻,结至外壳A:1.1°C/W
电压Vgs@Rdson丈量:10V
电压,Vds典型值:100V
电流,Id接连:27A
电流,Idm脉冲:110A
阈值电压,Vgsth典型值:4V
IRF540的具体使用说明
这就是一个大电流(30A)、较高耐压(100V)、低导通电阻(0.077Ω)的N沟道场效应管。
用法和其他N沟道场效应管差不多。
f540ns参数
f540ns采用的是三星880处理器,这款处理器采用的是三星八纳米制程工艺,支持5G双模全网通功能。
这款手机采用的是一块6.4英寸的OLED三星屏,支持屏幕指纹解锁,还支持屏幕高刷。另外它内置了4000毫安电池,支持25w的快速充电。支持30w的无线充电。
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